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SiC激光退火设备

SiC激光退火设备

产(chǎn)品特点 1.整机模块化设计与集成,兼容4、6、8英寸薄片晶圆;
2.集成自研成熟先进激光整形技(jì )术,光斑能(néng)量高度均匀、稳定;
3.退火后表面均匀、平整,优秀的电(diàn)学(xué)特性及表面形貌特征表现;
4.严格控制腔体(tǐ)含氧量,有(yǒu)效控制表面碳析出量和分(fēn)布;
5.配置监控与补偿系统,监测光学(xué)能(néng)量稳定性和非退火面温度;
6.配备EFEM传输系统,整机符合SEMI标准,支持SECS-GEM通信。

产(chǎn)品应用(yòng)

适用(yòng)于对重掺杂碳化硅(SiC)表面沉积的过渡金属进行退火,形成良好的欧姆接触。


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产(chǎn)品参数

可(kě)加工(gōng)品圆尺寸
4inch、6inch、8inch
薄片退火支持
光斑整形平顶光
光斑均匀性>95%
能(néng)量稳定性≤1%
比电(diàn)阻接触率≤5×10^(-5)Ω.cm²
表面温度Amnealedgurtece>1500℃.NOn=ann日ledsurlaco<100℃
腔体(tǐ)含氧量N2/Ar: 99.99%,<100ppm@25s
运动平台精(jīng)度

直线(xiàn)度:±1μm

重复定位精(jīng)度:±1μm

品圆传输

Automatic transferring

(compatible to wafer or wafer/w carrier)


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