PECVD

产(chǎn)品特点 1.成熟的高产(chǎn)能(néng)工(gōng)艺、双模温度控制技(jì )术、薄膜硅保护技(jì )术；
2.石墨舟电(diàn)极技(jì )术：前电(diàn)极面接触，可(kě)定期更换清洗电(diàn)极块，尾电(diàn)极炉管外可(kě)调，加大电(diàn)极尺寸及优化电(diàn)极材料，良好解决高频报警问题；
3.快速降温炉体(tǐ)：最新(xīn)专利技(jì )术使炉体(tǐ)温度快速降到所需温度，降温速率提升25%以上，明显提升炉管内温度均匀性；
4.专利储舟位并行散热方式：提升降温效果，缩短降温时间15%以上，同时避开底部从操作(zuò)台前面进气，提高操作(zuò)台内部洁净度；
5.快速自适应压力闭环控制技(jì )术；
6.等离子放电(diàn)场检测技(jì )术；
7.装(zhuāng)卸片防撞舟技(jì )术；
8.一体(tǐ)化工(gōng)控机+模块化工(gōng)艺控制软件；
9.全面的停电(diàn)安(ān)全处理(lǐ)和法兰水异常保护。

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产(chǎn)品应用(yòng)

在硅片表面淀积一层厚度约为(wèi)75-140nm的减反射氮化硅膜(SixNy)，同时利用(yòng)在淀积过程中(zhōng)产(chǎn)生的活性H+离子，对硅片表面和内部进行钝化处理(lǐ)。在体(tǐ)现减少光反射的同时，也提高了硅片的少子寿命，最终直接体(tǐ)现在晶体(tǐ)硅电(diàn)池的转换效率，主要用(yòng)在PERC/TOPCon电(diàn)池正背面氮化硅膜生长(cháng)。

产(chǎn)品参数

项目	技(jì )术指标
成膜种类	AlO,SiO,SiON,SiN,SiC
装(zhuāng)片量	768片/批(182mm),616片/批(210mm),500片/批(230mm)
氧化铝膜厚均匀性	片内≤6%片间≤6%批间≤5%(182片)
氧化铝折射率	1.65(±0.05)
UP-TIME	≥98%
工(gōng)作(zuò)温度范围	100~600℃
温度控制	9点控温，内外双模控制
升温方式	自动斜率升温及快速恒温功能(néng)
降温方式	最新(xīn)专利技(jì )术，9温区(qū)分(fēn)段控制主动降温炉体(tǐ)
恒温区(qū)精(jīng)度及长(cháng)度	±2°C/3200mm(500°C)
单点温度稳定度	<±1°C/4h(500°C)
升温时间	RT→450℃≤45min
温度控制	双模精(jīng)确控制
系统极限真空度	<3Pa
系统漏气率	停泵关阀后压力升率<1Pa/min
压力控制方式	快速调整全自动闭环
工(gōng)艺控制方式	工(gōng)艺过程全自动控制，多(duō)重安(ān)全连锁报警
人机交互界面	LCD显示、触摸操作(zuò)、工(gōng)艺编辑、在线(xiàn)监控、权限管理(lǐ)、班组管理(lǐ)、组网功能(néng)
MES/CCRM	具(jù)有(yǒu)

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